sibsutisВестник СибГУТИThe Herald of the Siberian State University of Telecommunications and Information Science1998-6920СибГУТИsibsutis-506Research ArticleСтатьиИсследование электрофизических параметров тонких плёнок нитрида титана, полученных методом магнетронного распыленияInvestigation of electrical properties of TiN thin films obtained by DC magnetron sputteringЕрофеевЕ. В.ErofeevE. V.erofeev@micran.ruФединИ. В.FedinI. V.fedinivanvladimirovich@mail.ruКазимировА. И.KazimirovA. I.kazimirov@micran.ruНПК «Микроэлектроника» ЗАО НПФ «Микран»Russian FederationТУСУР; НПК «Микроэлектроника» ЗАО НПФ «Микран»Russian Federation201526102022032934Copyright © Ерофеев Е.В., Федин И.В., Казимиров А.И., 20222022Ерофеев Е.В., Федин И.В., Казимиров А.И.Erofeev E.V., Fedin I.V., Kazimirov A.I.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://vestnik.sibsutis.ru/jour/article/view/506

Плёнки нитрида титана известны уже давно, но они не теряют своей актуальности, и обнаруживаются новые сферы их применения. Со временем совершенствуются способы получения плёнок для достижения наилучших характеристик. Для получения тонких плёнок TiN широко применяется метод магнетронного распыления, который характеризуется рядом технологических параметров. В данной статье представлены результаты исследования влияния мощности разряда и потока азота в парогазовой смеси Ar+N2 на удельное электрическое сопротивление и скорость роста плёнок нитрида титана, полученных методом реактивного магнетронного распыления. Также рассмотрено влияние температурной обработки на деградацию удельного электрического сопротивления и изменение элементного состава полученных плёнок.

Effects of power density and nitrogen flow on the electrical resistivity, thermal stability and growing rate of TiN films obtained by magnetron sputtering are presented in this paper. The effect of temperature treatment on the degradation of specific electrical resistance and the change in the elemental composition of the films are also considered.

тонкие плёнкинитрид титанамагнетронное распылениеудельное электрическое сопротивлениескорость ростапоток азотамощность разрядатермическая стабильностьэлементный составthin filmtitanium nitridemagnetron sputteringelectrical resistivitygrowing ratenitrogen flowpower densitythermal stabilityReferencesNadia Saoula, Karim Henda et Rafika Kesri. Influence of nitrogen content on the structural and mechanical properties of tin thin films // j. Plasma fusion res. Series. 2009 V. 8, P. 1403-1407.Nadia Saoula, Karim Henda et Rafika Kesri. Influence of nitrogen content on the structural and mechanical properties of tin thin films // j. Plasma fusion res. Series. 2009 V. 8, P. 1403-1407.Li-Jian Meng, M.P. Santos. Characterization of titanium nitride falms prepared by d.c. reactive magnetron sputtering at dufferent nitrogen pressures // Surface and Coatings Technology. 1997 V. 90, P. 64-70.Li-Jian Meng, M.P. Santos. Characterization of titanium nitride falms prepared by d.c. reactive magnetron sputtering at dufferent nitrogen pressures // Surface and Coatings Technology. 1997 V. 90, P. 64-70.Громов Д.Г. Металлизация в системах с наноразмерными элементами: учеб. пособие для студентов техвузов. М.: МИЭТ; Москва: АСТ, 2011. 60 с.Громов Д.Г. Металлизация в системах с наноразмерными элементами: учеб. пособие для студентов техвузов. М.: МИЭТ; Москва: АСТ, 2011. 60 с.Az. Ahaitouf, J. C. Gerbedoen, A. Soltani Process Technology study of TiN/AlGaN/GaN Schottky contact on (111) Silicon substrate // J. Mater. Environ. Sci. 2010. V 1, P. 309-312.Az. Ahaitouf, J. C. Gerbedoen, A. Soltani Process Technology study of TiN/AlGaN/GaN Schottky contact on (111) Silicon substrate // J. Mater. Environ. Sci. 2010. V 1, P. 309-312.Hong Tak Kim, Chan Su Chae, Dae Hee Han and Duck Kyu Park. Effect of Substrate Temperature and Input Power on TiN Film Deposition by LowFrequency (60 Hz) PECVD // Journal of the Korean Physical Society. 2000 V. 37, № 3. P. 319-323.Hong Tak Kim, Chan Su Chae, Dae Hee Han and Duck Kyu Park. Effect of Substrate Temperature and Input Power on TiN Film Deposition by LowFrequency (60 Hz) PECVD // Journal of the Korean Physical Society. 2000 V. 37, № 3. P. 319-323.Способ реактивного ионного травления слоя нитрида титана селективно к алюминию и двуокиси кремния [Электронный ресурс]. URL: http://www.freepatent.ru/patents/2 3 92 68 9 (дата обращения: 14.02.2015)Способ реактивного ионного травления слоя нитрида титана селективно к алюминию и двуокиси кремния [Электронный ресурс]. URL: http://www.freepatent.ru/patents/2 3 92 68 9 (дата обращения: 14.02.2015)Способ получения однофазных пленок нитрида титана [Электронный ресурс]. URL: http://www.findpatent.ru/patent/2 4 9/2 4 97 977.html (дата обращения: 23.02.2015)Способ получения однофазных пленок нитрида титана [Электронный ресурс]. URL: http://www.findpatent.ru/patent/2 4 9/2 4 97 977.html (дата обращения: 23.02.2015)Нитрид титана [Электронный ресурс]. URL: https://ru.wikipedia.org/wiki/Нитрид титана (дата обращения: 15.02.2015)Нитрид титана [Электронный ресурс]. URL: https://ru.wikipedia.org/wiki/Нитрид титана (дата обращения: 15.02.2015)F. Vaza, J. Ferreiraa, E. Ribeiroa, L. Reboutaa, S. Lanceros-Mendeza, J.A. Mendesa, E. Alvesb, Ph. Goudeauc, J.P. Rivie ‘rec, F. Ribeirod, I. Moutinhod, K. Pischowe, J. de Rij. Influence of Nitrogen Content on the Structural and Mechanical Properties of TiN Thin Films // Surface & Coatings Technology. 2005. V. 191, P. 317-323.F. Vaza, J. Ferreiraa, E. Ribeiroa, L. Reboutaa, S. Lanceros-Mendeza, J.A. Mendesa, E. Alvesb, Ph. Goudeauc, J.P. Rivie ‘rec, F. Ribeirod, I. Moutinhod, K. Pischowe, J. de Rij. Influence of Nitrogen Content on the Structural and Mechanical Properties of TiN Thin Films // Surface & Coatings Technology. 2005. V. 191, P. 317-323.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.