sibsutisВестник СибГУТИThe Herald of the Siberian State University of Telecommunications and Information Science1998-6920СибГУТИsibsutis-589Research ArticleСтатьиМОДЕЛИРОВАНИЕ ИОННОЙ ПРОВОДИМОСТИ ДИЭЛЕКТРИКА С НЕОДНОРОДНОЙ БЛОКИРУЮЩЕЙ ПОВЕРХНОСТЬЮ КОМПОНЕНТОВ МИКРО И НАНОМАТРИЦПеровГ. В.noemail@neicon.ruСальманЕ. Г.noemail@neicon.ruСибГУТИRussian Federation200816012023012530Copyright © Перов Г.В., Сальман Е.Г., 20232023Перов Г.В., Сальман Е.Г.Перов Г.В., Сальман Е.Г.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://vestnik.sibsutis.ru/jour/article/view/589

Разработана одномерная модель ионной проводимости в диэлектрических слоях с неоднородной блокирующей поверхностью полупроводника с заданным геометрическим горизонтальным профилем. Модель основана на результатах исследования релаксации ионов в диэлектрике на поликристаллическом кремнии и позволяет прогнозировать поведение ионов в зависимости от шероховатости границы. Модель может быть использована для прогнозирования электрических параметров при изменении технологических условий формирования многослойных структур.

ReferencesВ.С. Дубровин, В.А.Энкович. Расчет проводимости окисла, выращенного на поликремнии. // ЭТ.Сер.3,в.2.-М.:ЦНИИ «Электроника».-1982.-с.8-14.В.С. Дубровин, В.А.Энкович. Расчет проводимости окисла, выращенного на поликремнии. // ЭТ.Сер.3,в.2.-М.:ЦНИИ «Электроника».-1982.-с.8-14.E.G. Salman, V.N. Vertoprachov / Thermally stimulated depolarisation current controlled by surface charge change // Phys. Stat. Sol.(a).-1988.-v.1008, № 2, p.625-630.E.G. Salman, V.N. Vertoprachov / Thermally stimulated depolarisation current controlled by surface charge change // Phys. Stat. Sol.(a).-1988.-v.1008, № 2, p.625-630.Е.Г. Сальман, Г.В. Перов Влияние подвижного заряда на электропроводность структур поликремнй-двуокись кремния поликремний // ЭТ.Сер.3,в.3.-М.ЦНИИ «Электроника»,-1989.с.14-16Е.Г. Сальман, Г.В. Перов Влияние подвижного заряда на электропроводность структур поликремнй-двуокись кремния поликремний // ЭТ.Сер.3,в.3.-М.ЦНИИ «Электроника»,-1989.с.14-16

The authors declare that there are no conflicts of interest present.