sibsutisВестник СибГУТИThe Herald of the Siberian State University of Telecommunications and Information Science1998-6920СибГУТИsibsutis-590Research ArticleСтатьиВлияние ионного заряда диэлектрика на его электронную проводимость в многослойной структуре с неоднородной блокирующей границей.ПеровГ. В.noemail@neicon.ruСибГУТИRussian Federation200816012023013133Copyright © Перов Г.В., 20232023Перов Г.В.Перов Г.В.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://vestnik.sibsutis.ru/jour/article/view/590
Представлены результаты исследований влияния положительного подвижного заряда на электронную проводимость окисла на поликристаллическом кремнии.
ReferencesHan Sheng Lee. High electric feild generaited electron traps in oxide grown from policristalline silicon// Appl.Phys.Lett.-1980.-v.37. №12.-p.1080-1082.Han Sheng Lee. High electric feild generaited electron traps in oxide grown from policristalline silicon// Appl.Phys.Lett.-1980.-v.37. №12.-p.1080-1082.Groesneken G., Maes H.E. A quantation model for the conductionnin oxides thermally grown policristalline silicon// IEEE Trans.on El. Dev.-1986.-v.ED-33, №.7-p.1028-1042.Groesneken G., Maes H.E. A quantation model for the conductionnin oxides thermally grown policristalline silicon// IEEE Trans.on El. Dev.-1986.-v.ED-33, №.7-p.1028-1042.Сальман Е.Г., Вертопрахов В.Н., Данилович. В.С. Изучение процессов образования и переноса заряда в слоях двуокиси кремния на кремнии. / ЦИОНТ ПИК.-Деп. В ВИНИТИ.: №558-76.-Новосибирск, 1975.-с.21.Сальман Е.Г., Вертопрахов В.Н., Данилович. В.С. Изучение процессов образования и переноса заряда в слоях двуокиси кремния на кремнии. / ЦИОНТ ПИК.-Деп. В ВИНИТИ.: №558-76.-Новосибирск, 1975.-с.21.Salman E.G.,Vertoprachov V.N. Thermally stimulated depolarisation current cjntrolled by surface charge change // Phys.Stat.Sol (a).-1988.-v.1008. №2.-p.625-630Salman E.G.,Vertoprachov V.N. Thermally stimulated depolarisation current cjntrolled by surface charge change // Phys.Stat.Sol (a).-1988.-v.1008. №2.-p.625-630
The authors declare that there are no conflicts of interest present.