sibsutisВестник СибГУТИThe Herald of the Siberian State University of Telecommunications and Information Science1998-6920СибГУТИsibsutis-629Research ArticleСтатьиГерманиевый полевой транзистор с изолированным затвором (Ge-МДПТ)Germanium field-effect-transistor (Ge MOSFET)НеизвестныйИ. Г.NeizvestnyI. G.neizv@isp.nsc.ruИнститут физики полупроводников СО РАНRussian Federation2009160120230359Copyright © Неизвестный И.Г., 20232023Неизвестный И.Г.Neizvestny I.G.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://vestnik.sibsutis.ru/jour/article/view/629

В работе изложены итоги развития основного активного элемента микро- и наноэлектроники Si МДПТ методом масштабирования. Показано, что дальнейший путь в этом направлении требует изменения материала подзатворного пространства на полупроводник с более высокой, чем у кремния, подвижностью. Таким материалом может стать германий, который достаточно успешно внедряется с этой целью в технологию кремниевых интегральных схем (ИС). Проводится сравнение характеристик таких приборов с ранее разработанными в ИФП СО РАН.

The short summary of high frequency Si-MOSFET developed with help the scaling is described. For next step speed-performance enhancment is needed using semiconductor which has mobility more than Si. The most suitable material for this aims is Ge. The comparison recent date with result has published in papers Institute of Semiconductor Physics SBRAS many years ago.

транзисторметалл-диэлектрик-полупроводникподвижностьGeReferencesГ.Я. Красников. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. - М.: Техносфера. Ч.1 - 2002 г., Ч.2 - 2004 г.Г.Я. Красников. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. - М.: Техносфера. Ч.1 - 2002 г., Ч.2 - 2004 г.В.П. Драгунов. И.Г. Неизвестный. Наноструктуры: физика, технология, применение. - Новосибирск, НГТУ, 2008 г.В.П. Драгунов. И.Г. Неизвестный. Наноструктуры: физика, технология, применение. - Новосибирск, НГТУ, 2008 г.И.Г. Неизвестный, В.А. Гридчин. Использование напряжённого кремния в МДП-транзисторах и КМОП-структурах. - Микроэлектроника. Т.38, № 2, стр. 83 - 98, 2009.И.Г. Неизвестный, В.А. Гридчин. Использование напряжённого кремния в МДП-транзисторах и КМОП-структурах. - Микроэлектроника. Т.38, № 2, стр. 83 - 98, 2009.Dick James. "Intel's evolution: Strained silicon to high-k and metal gate" Sol. St. Tech. November 2007.Dick James. "Intel's evolution: Strained silicon to high-k and metal gate" Sol. St. Tech. November 2007.Wen-Shiang Liao et al. "PMOS hole mobility enhancement through SiGe conductive channel and highly compressive ILD-SiNx stressing layer" IEEE Electr. Dev. Lett. v.29. № 1, January 2008. p. 86 - 88.Wen-Shiang Liao et al. "PMOS hole mobility enhancement through SiGe conductive channel and highly compressive ILD-SiNx stressing layer" IEEE Electr. Dev. Lett. v.29. № 1, January 2008. p. 86 - 88.S.Balakumar et al. "SiGeO layer formation mechanism at the SiGe/oxide interface during Ge condensation". Appl. Phys. Lett. v.90, p.032111(2007).S.Balakumar et al. "SiGeO layer formation mechanism at the SiGe/oxide interface during Ge condensation". Appl. Phys. Lett. v.90, p.032111(2007).Hiroshi Matsubara et al. "Evidence of low interface trap density in GeO2/Ge metal-oxide-semiconductor structures fabricated by thermal oxidation". Appl. Phys. Lett. v.90, p.032104 (2008).Hiroshi Matsubara et al. "Evidence of low interface trap density in GeO2/Ge metal-oxide-semiconductor structures fabricated by thermal oxidation". Appl. Phys. Lett. v.90, p.032104 (2008).T. Signamarcheix et al. "Germanium oxynitrid (GeОxNy) as a back interface passivation layer for germanium-on-insulator substrate" Appl. Phys. Lett. v.93, p.022109(2008).T. Signamarcheix et al. "Germanium oxynitrid (GeОxNy) as a back interface passivation layer for germanium-on-insulator substrate" Appl. Phys. Lett. v.93, p.022109(2008).Nan Wu et al. "Gate-First germanium nMOSFET with CVD HfO2 gate dielectric and silicon surface passivation" IEEE Elect. Dev. Lett. vol.27. № 6, June 2006, p. 479 - 491.Nan Wu et al. "Gate-First germanium nMOSFET with CVD HfO2 gate dielectric and silicon surface passivation" IEEE Elect. Dev. Lett. vol.27. № 6, June 2006, p. 479 - 491.А.В. Ржанов, И.Г. Неизвестный, В.В. Росляков. Исследование поверхностной проводимости и поверхностной рекомбинации на образцах германия. ЖТФ, т. 26, 2142 (1956).А.В. Ржанов, И.Г. Неизвестный, В.В. Росляков. Исследование поверхностной проводимости и поверхностной рекомбинации на образцах германия. ЖТФ, т. 26, 2142 (1956).А.В. Ржанов, Ю.Ф. Новотоцкий-Власов, И.Г. Неизвестный. Исследование эффекта поля и поверхностной рекомбинации в образцах германия. ЖТФ т. 27, вып.11, 1957. стр. 2441 -2450.А.В. Ржанов, Ю.Ф. Новотоцкий-Власов, И.Г. Неизвестный. Исследование эффекта поля и поверхностной рекомбинации в образцах германия. ЖТФ т. 27, вып.11, 1957. стр. 2441 -2450.Patent 1 745 175 U.S. "Method and apparatus for controlling electric current" Lilienfeld.-Appl. Field 8 oct.1929, granted 18 Jan.1930.Patent 1 745 175 U.S. "Method and apparatus for controlling electric current" Lilienfeld.-Appl. Field 8 oct.1929, granted 18 Jan.1930.D.Kang, M.M.Attala. "Silicon-silicon dioxide field iduced surface devices". Presented at the IRE-AIEE Solid State Device Res. Conf. Pittsburg PA, 1960.D.Kang, M.M.Attala. "Silicon-silicon dioxide field iduced surface devices". Presented at the IRE-AIEE Solid State Device Res. Conf. Pittsburg PA, 1960.A.V.Rzhanov, I.G. Neizvestny. "Germanium MIS structure" Thin Sol. Films. V.58, (1979), p. 37 - 42.A.V.Rzhanov, I.G. Neizvestny. "Germanium MIS structure" Thin Sol. Films. V.58, (1979), p. 37 - 42.Квон Зе Дон, И.Г. Неизвестный, В.Н. Овсюк, А.В. Ржанов. Германиевый МДП-транзистор. - Микроэлектроника, т. 5, вып. 4, 1976, стр. 363 - 366.Квон Зе Дон, И.Г. Неизвестный, В.Н. Овсюк, А.В. Ржанов. Германиевый МДП-транзистор. - Микроэлектроника, т. 5, вып. 4, 1976, стр. 363 - 366.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.