sibsutisВестник СибГУТИThe Herald of the Siberian State University of Telecommunications and Information Science1998-6920СибГУТИsibsutis-758Research ArticleСтатьиРасчёт электрических полей в ультратонких диэлектриках с неоднородной границей в среде TCAD SentaurusCalculation of Electric Fields in Ultra-Thin Dielectrics with Heterogeneous Border in Sentaurus TCAD EnvironmentПеровГ. В.PerovG. V.noemail@neicon.ruСедининВ. И.SedininV. I.noemail@neicon.ruСибирский государственный университет телекоммуникаций и информатикиRussian Federation201106022023046471Copyright © Перов Г.В., Сединин В.И., 20232023Перов Г.В., Сединин В.И.Perov G.V., Sedinin V.I.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://vestnik.sibsutis.ru/jour/article/view/758

Разработана графическая и технологическая модель перепрограммируемого элемента памяти управляющего устройства приёмника Глонасс-навигатора в среде TCAD Sentaurus. Выполнен расчёт распределения электрических полей в тонких диэлектриках на поверхности затвора с неоднородным горизонтальным и вертикальным профилем рельефа. Модель может быть использована для расчёта электронных и ионных токов проводимости ультратонких диэлектриков цифровых и аналоговых микросхем в зависимости от неоднородности границы и определения их контрольных пределов по отказам.

We develop a graphical and technological model of reprogrammable memory element of the actuation device for Glonass navigator receiver in Sentaurus TCAD environment. The calculation of distribution of electric fields in thin dielectrics on a surface of a shutter with a non-uniform horizontal and vertical profile of relief is provided. The model can be used for calculation of electronic and ionic conductivity currents in a dielectric on a shutter depending on heterogeneity of border, and for determining of their fault limits.

пакет САПР TCAD Sentaurusдиэлектрики на поверхности затворов элемента памяти управляющей матрицы кристаллаусиление электрического поля на неоднородностях затвораSentaurus TCAD packagedielectrics on a shutter of memory elementelectric field on heterogeneous bordersReferencesШурыгина В. Микросхемы энергонезависимой памяти. Электроника: Наука, Технология, Бизнес 2008, №3, стр.84-88.Шурыгина В. Микросхемы энергонезависимой памяти. Электроника: Наука, Технология, Бизнес 2008, №3, стр.84-88.Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0.35 - 0.18 мкм. Часть 1. Основные тенденции развития методов. Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы, 2010 г.Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0.35 - 0.18 мкм. Часть 1. Основные тенденции развития методов. Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы, 2010 г.Marcus R. B. and Sheng T. T. The oxidation of shaped silicon surfaces// J. Electrochem. Soc.1982, Vol.129. N.6. P. 1278-1282.Marcus R. B. and Sheng T. T. The oxidation of shaped silicon surfaces// J. Electrochem. Soc.1982, Vol.129. N.6. P. 1278-1282.Yoshikawa K., Nagakubo Y., Kanzaki K., Two Dimensional Effect in Suppression of Thermal Oxidation Rate// Extended Abstracts of the (1984 International) Conference on Solid State Devices and Materials, Kobe, 1984, p.475-478.Yoshikawa K., Nagakubo Y., Kanzaki K., Two Dimensional Effect in Suppression of Thermal Oxidation Rate// Extended Abstracts of the (1984 International) Conference on Solid State Devices and Materials, Kobe, 1984, p.475-478.Sunami H., Koyanagi M, Hashimoto N. Intermediate oxide formation in double-polisilicon gate MOS structure// J. Electrochem. Soc.1980, Vol.127. N.11. P. 2499-2505.Sunami H., Koyanagi M, Hashimoto N. Intermediate oxide formation in double-polisilicon gate MOS structure// J. Electrochem. Soc.1980, Vol.127. N.11. P. 2499-2505.Brown D.K. Hu S.M., Morrisey J.M. Flaws in sidewall oxides grown on polysilicon gate.-J. Electrochem. Soc.1982, Vol.129. N.5. P. 1084-1089.Brown D.K. Hu S.M., Morrisey J.M. Flaws in sidewall oxides grown on polysilicon gate.-J. Electrochem. Soc.1982, Vol.129. N.5. P. 1084-1089.М.Б. Белоненко, Н.Г. Лебедев, Е.В. Сочнева// Диссипативные солитоны в углеродных нанотрубках, Физика твёрдого тела, 2011, том 53, вып. 1, стр. 184-188.М.Б. Белоненко, Н.Г. Лебедев, Е.В. Сочнева// Диссипативные солитоны в углеродных нанотрубках, Физика твёрдого тела, 2011, том 53, вып. 1, стр. 184-188.Anderson R.M., Kerr D.R. Evidence for surface asperity mechanism of conductivity in oxide grown on polycrystalline // J. of Appl. Phys. - 1975. - v.53, №9, p.4834-4836.Anderson R.M., Kerr D.R. Evidence for surface asperity mechanism of conductivity in oxide grown on polycrystalline // J. of Appl. Phys. - 1975. - v.53, №9, p.4834-4836.Heiman P.A., Murarka S.P., Sheng T.T. Electrical conduction and breakdown on oxide of policristalline silicon and their correlation with interface texture// J. of Appl. Phys. - 1982. - v.53, №9, p.6240-6246.Heiman P.A., Murarka S.P., Sheng T.T. Electrical conduction and breakdown on oxide of policristalline silicon and their correlation with interface texture// J. of Appl. Phys. - 1982. - v.53, №9, p.6240-6246.Sentaurus Process User Guid. C-2009.06 pp.508-512.Sentaurus Process User Guid. C-2009.06 pp.508-512.Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. Часть 2. М.: Энергия, 1986 г., стр.423-426.Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. Часть 2. М.: Энергия, 1986 г., стр.423-426.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.