МОДЕЛИРОВАНИЕ ИОННОЙ ПРОВОДИМОСТИ ДИЭЛЕКТРИКА С НЕОДНОРОДНОЙ БЛОКИРУЮЩЕЙ ПОВЕРХНОСТЬЮ КОМПОНЕНТОВ МИКРО И НАНОМАТРИЦ
Abstract
Разработана одномерная модель ионной проводимости в диэлектрических слоях с неоднородной блокирующей поверхностью полупроводника с заданным геометрическим горизонтальным профилем. Модель основана на результатах исследования релаксации ионов в диэлектрике на поликристаллическом кремнии и позволяет прогнозировать поведение ионов в зависимости от шероховатости границы. Модель может быть использована для прогнозирования электрических параметров при изменении технологических условий формирования многослойных структур.
References
1. В.С. Дубровин, В.А.Энкович. Расчет проводимости окисла, выращенного на поликремнии. // ЭТ.Сер.3,в.2.-М.:ЦНИИ «Электроника».-1982.-с.8-14.
2. E.G. Salman, V.N. Vertoprachov / Thermally stimulated depolarisation current controlled by surface charge change // Phys. Stat. Sol.(a).-1988.-v.1008, № 2, p.625-630.
3. Е.Г. Сальман, Г.В. Перов Влияние подвижного заряда на электропроводность структур поликремнй-двуокись кремния поликремний // ЭТ.Сер.3,в.3.-М.ЦНИИ «Электроника»,-1989.с.14-16
Review
For citations:
, . The Herald of the Siberian State University of Telecommunications and Information Science. 2008;(1):25-30. (In Russ.)
Views:
125
Email this article 