Preview

Вестник СибГУТИ

Расширенный поиск

Комбинированная методика двумерного моделирования технологии и электрофизических параметров МОП-транзисторов

Аннотация

В данной работе была предложена новая комбинированная методика калибровки параметров двумерных технологических и электрофизических моделей пакета приборнотехнологического моделирования «MicroTec-3.02». Такая калибровка осуществляется на основе высокоточных одномерных профилей легирования в канале и исток-стоках МОП-транзисторов, рассчитанных ППП «ФАКТ», и реально измеренных вольт-амперных характеристиках исследуемых приборов.

Об авторах

А. С. Черкаев

Россия


С. В. Калинин
СибГУТИ
Россия


Е. А. Макаров
НГТУ
Россия


Список литературы

1. МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов; Под ред. П. Антонетти, Д. Антониадиса, Р. Датто-на, У. Оулдхема; М.: Радио и связь, 1988 г

2. http://www.synopsys.com

3. ППП «ФАКТ» - РИ ЛАРС 01.02.08-00 ФГУП «НПП «Восток».

4. http://www.siborg.ca

5. Obrecht M.S.; «Software Package for Two-Dimensional Process and Device Simulation - MICROTEC-3.02. User's Manual»; Siborg, Waterloo, Can., 1998.


Рецензия

Для цитирования:


Черкаев А.С., Калинин С.В., Макаров Е.А. Комбинированная методика двумерного моделирования технологии и электрофизических параметров МОП-транзисторов. Вестник СибГУТИ. 2008;(2):14-17.

Просмотров: 362


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1998-6920 (Print)