Просмотр статьи


Номер журнала: 2009.3

Заголовок статьи: Особенности транспорта носителей заряда в узкозонном сегнетоэлектрике PbSnTe:In

Резюме

Обсуждаются особенности протекания тока в PbSnTe:In при гелиевых температурах без освещения и при оптическом возбуждении как межзонных переходов, так и переходов электронов с локальных центров в зону проводимости. Рассмотрена трансформация вольтамперных характеристик в зависимости от величины и направления магнитного поля. Обсуждение результатов проводится на основе модели, учитывающей наличие сегнетоэлектрического фазового перехода при Т≈20 К, малую концентрацию равновесных носителей заряда и преобладание инжекционного тока, ограниченного пространственным зарядом, в присутствии центров захвата электронов.

Авторы

А.Э. Климов, И.Г. Неизвестный, В.Н. Шумский

Библиография

1. Волков Б.А., Панкратов О.А. Ян-теллеровская неустойчивость кристаллического ок-ружения точечных дефектов в полупроводниках А4В6 // ДАН СССР. 1980. Т. 255, № 1. С. 93 – 97.
2. Драбкин И.А., Мойжес Б.Я. Спонтанная диссоциация нейтральных состояний приме-сей на положительно и отрицательно заряженные состояния // ФТП. 1981. Т. 15, № 4. С. 625 – 647.
3. Акимов А.Н., Ерков В.Г., Климов А.Э., Молодцова Е.Л., Супрун С.П., Шумский В.Н. То-ки инжекции в узкозонном диэлектрике Pb1-xSnxTe // ФТП. 2005. Т. 39, № 5. С. 563 – 568.
4. Насыббулин Р.А., Калимуллин Р.Х., Шапкин В.В., Харионовский Ю.С., Джумиго А.М., Бурсиан Э.В. Высокотемпературные фазовые переходы в твёрдых растворах
Pb1-xSnxTe // ФТТ. 1981. Т. 23, № 1. С. 300 – 302.
5. Климов А.Э., Шумский В.Н. Фотодиэлектрический эффект в эпитаксиальных плёнках PbSnTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Автометрия. 2001. № 3. С. 65 – 75.
6. Вул Б.М., Воронова И.Д., Калюжная Г.А., Мамедов Т.С., Рагимова Т.Ш. Особенности явлений переноса в Pb0.78Sn0.22Te с большим содержанием индия // Письма ЖЭТФ. 1979. Т. 29, № 1. С. 21 – 25.
7. Акимов Б.А., Брандт Б.А., Богословский С.А., Рябова Л.И., Чудинов С.М. Неравновесное металлическое состояние в сплавах Pb1-xSnxTe(In) // Письма ЖЭТФ. 1979. Т. 29, № 1. С. 11 – 14.
8. Виноградов B.C., Воронова И.Д., Калюжная Г.А., Рагимова Т.Ш., Шотов А.П. Эффект Холла и фотопроводимость в Pb1-xSnxTe с индием // Письма в ЖЭТФ. 1980. Т. 32, № 1. С. 22 – 26.
9. Каган Ю., Кикоин К.А. Туннельная примесная автолокализация в полупроводниках. Природа аномальных свойств соединений Pb1-xSnxTe с примесью In // Письма ЖЭТФ. 1980. Т. 31, № 6. С. 367 – 371.
10. Виноградов В.С., Воронова И.Д., Рагимова Т.Ш., Шотов А.П. Модель флуктуационного примесного потенциала. Описание фотоэлектрических и гальваномагнитных явлений в Pb1-xSnxTe с примесью In // ФТП. 1981. Т. 15, № 2. С. 361 – 368.
11. Herrmann K. H., Kalyuzhnaya G. A., Möllmann K.-P., and Wendt M. Photoelectric behaviour in Pb0.78Sn0.22Te:In // Phys. Stat. Sol (a). 1982. V. 71. P. K21 – K24.
12. Драбкин И.А., Мойжес Б.Я. О фотопроводимости Pb1-xSnxTe, легированного In // ФТП. 1983. Т. 17, № 6. С. 969 – 972.
13. Засавицкий И.И., Матвеенко А.В.., Мацоношвили Б.Н., Трофимов В.Т. Спектр фотопро-водимости эпитаксиальных слоёв Pb1-xSnxTe : In // ФТП. 1986. Т. 20, № 2. С. 214 – 220.
14. Хохлов Д.Р., Чесноков С.Н. Релаксация задержанной фотопроводимости в электрическом поле в сплавах Pb1-xSnxTe (In) // ФТП. 1992. Т. 26, № 6. С. 1135 – 1138.
15. Акимов Б.А., Зломанов В.П., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Перспективные материалы ИК-оптоэлектроники на основе соединений группы АIVВVI // Высокочистые вещества. 1991. № 6. С. 22 – 34.
16. Климов А.Э., Шумский В.Н. Многоэлементные фотоприёмные устройства дальнего ИК- диапазона на основе гетероэпитаксиальных плёнок PbSnTe, легированных In, на BaF2. В кн. «Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона». Под ред. С.П. Синицы. Новосибирск: Наука, 2001. С. 308 – 372.
17. Emtage P.R. Auger recombination and junction resistance in lead-tin-telluride // J. Appl. Phys. 1976. V. 47, № 6. P. 2565 – 2576.
18. Lishka K., Durstberger, Lindermann G., Staudinger H. Defect states in Рb1-xSnxТе // Phys. Stat. Sol. 1984. V. 123. P. 319 – 324.
19. Borodin V.V., Klimov A.E., Shumsky V.N. Recombination in PbSnTe at low tempera-tures // Narrow Gap Semiconductors. Eds. Shen S.C., Tang D.V., Zheng G.V., Bauer G. World Scientific, 1997. P. 361 – 364.
20. Климов А.Э., Шумский В.Н. Фоточувствительность плёнок Pb1-xSnxTe:In в области соб-ственного поглощения // ФТП. 2008. Т. 42, № 2. С. 147 – 152.
21. Khokhlov D.R, Ivanchik I.I., Raines S.N., Watson D.M. and Pipher J.L. Performance and spec-tral response of Pb1-xSnxTe (In) far-infrared detectors // Appl. Phys. Lett. 2000.V.76, № 20. P.2835 – 2837.
22. Климов А.Э., Шумский В.Н. Фотоёмкостной эффект в узкозонном PbSnTe // При-кладная физика. 2004. № 3. C.74 – 78.
23. Klimov A., Shumsky V. and Kubarev V. Terahertz sensitivity of Pb1-xSnxTe:In. Ferroelectrics. 2007. V. 347. P. 111 – 119.
24. Акимов А.Н., Беленчук А.В., Ерков В.Г., Климов А.Э., Неизвестный И.Г., Шаповал О.М., Шумский В.Н. Чувствительность плёнок PbSnTe:In к субмиллиметровому излучению в условиях полевой инжекции электронов. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2007. № 12. С. 20 – 26.
25. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твёрдых телах. М.: Мир, 1973. 416 с.
26. Белогорохов А.И., Белов А.Г., Неизвестный И.Г., Пусеп Ю.А, Синюков М.П. Определе-ние температуры фазового перехода в твёрдом растворе по размягчению длинноволновой плазмон-фононной моды // ЖЭТФ. 1987. T. 92, № 3. С. 869 – 873.

Ключевые слова

PbSnTe:In, сегнетоэлектрик, токи, ограниченные пространственным зарядом.

Скачать полный текст