Просмотр статьи


Номер журнала: 2015.3

Заголовок статьи: Разработка электростатической защиты элементов ввода-вывода интегральных микросхем, выполненных по субмикронной высоковольтной КМОП технологии

Резюме

Рассмотрен базовый принцип защиты интегральных микросхем (ИМС) от воздействия электростатического разряда (ЭСР) и основные методы защиты от ЭСР площадок ввода-вывода ИМС, выполненных по субмикронным КМОП технологиям. Для использования в высоковольтной КМОП технологии ИМС представлены схемы защиты от ЭСР, созданные на основе комбинаций различных схем для аналоговых и цифровых, входных и выходных площадок, а также для площадок питания и земли. Рассмотрены варианты комплексной ЭСР защиты всего кристалла ИМС. Изложены основные принципы проектирования топологии защитных элементов в составе площадки ввода-вывода высоковольтных ИМС. Предложена эквивалентная схема двухкаскадной двунаправленной защиты для моделирования воздействия электростатического разряда. Проведено моделирование ЭСР защиты двунаправленной площадки ввода-вывода, выполненной по субмикронной высоковольтной КМОП технологии. Полученные при моделировании результаты удовлетворяют требованиям по электростатической защите до 2 кВ.

Авторы

М. С. Карпович, В. Д. Лысь
ООО «СибИС», Новосибирск

Библиография

1. Волков С., Ефишин А., Морозов С., Соколов С. Проблема электростатического разряда и современные методы защиты интегральных схем от него. Часть 1. // CHIPINFO. URL: http://www.chipinfo.ru/literature/chipnews/200307/8.html (дата обращения: 19.10.2014).
2. Ajith Amerasekera, Charvaka Duvvury ESD in Silicon Integrated Circuits, 2nd Edition // John Wiley & Sons, 2002, 421 p.
3. Строгонов А., Горлов М. Воздействие электростатических разрядов на интегральные схемы // Компоненты и технологии, 2008, №3, с. 188-192.
4. Строгонов А., Козьяков Н. Проектирование КМОП ИС с защитой от ЭСР в САПР TannerPro // Компоненты и технологии, 2008, №2, с. 126-130.
5. Карпович М.С., Лебедев Ю.П. Особенности проектирования топологии дифференциальных пар и токовых зеркал базовых сложно функциональных блоков субмикронных интегральных микросхем типа «система-на-кристалле» // Вестник СибГУТИ, 2012, №3, с.40-49.

Ключевые слова

электростатический разряд, ЭСР, площадки ввода-вывода, латеральный биполярный транзистор.

Скачать полный текст