Разработка электростатической защиты элементов ввода-вывода интегральных микросхем, выполненных по субмикронной высоковольтной КМОП технологии
Аннотация
Рассмотрен базовый принцип защиты интегральных микросхем (ИМС) от воздействия электростатического разряда (ЭСР) и основные методы защиты от ЭСР площадок ввода-вывода ИМС, выполненных по субмикронным КМОП технологиям. Для использования в высоковольтной КМОП технологии ИМС представлены схемы защиты от ЭСР, созданные на основе комбинаций различных схем для аналоговых и цифровых, входных и выходных площадок, а также для площадок питания и земли. Рассмотрены варианты комплексной ЭСР защиты всего кристалла ИМС. Изложены основные принципы проектирования топологии защитных элементов в составе площадки ввода-вывода высоковольтных ИМС. Предложена эквивалентная схема двухкаскадной двунаправленной защиты для моделирования воздействия электростатического разряда. Проведено моделирование ЭСР защиты двунаправленной площадки ввода-вывода, выполненной по субмикронной высоковольтной КМОП технологии. Полученные при моделировании результаты удовлетворяют требованиям по электростатической защите до 2 кВ.
Ключевые слова
Список литературы
1. Волков С., Ефишин А., Морозов С., Соколов С. Проблема электростатического разряда и современные методы защиты интегральных схем от него. Часть 1. // CHIP INFO. URL: http://www.chipinfo.ru/literature/chipnews/200307/8.html (дата обращения: 19.10.2014).
2. Ajith Amerasekera, Charvaka Duvvury ESD in Silicon Integrated Circuits, 2nd Edition // John Wiley & Sons, 2002, 421 p.
3. Строгонов А., Горлов М. Воздействие электростатических разрядов на интегральные схемы // Компоненты и технологии, 2008, №3, с. 188-192.
4. Строгонов А., Козьяков Н. Проектирование КМОП ИС с защитой от ЭСР в САПР TannerPro // Компоненты и технологии, 2008, №2, с. 126-130.
5. Карпович М.С., Лебедев Ю.П. Особенности проектирования топологии дифференциальных пар и токовых зеркал базовых сложно функциональных блоков субмикронных интегральных микросхем типа «система-на-кристалле» // Вестник СибГУТИ, 2012, №3, с.40-49.
Рецензия
Для цитирования:
Карпович М.С., Лысь В.Д. Разработка электростатической защиты элементов ввода-вывода интегральных микросхем, выполненных по субмикронной высоковольтной КМОП технологии. Вестник СибГУТИ. 2015;(3):55-65.
For citation:
Karpovich M.S., Lys V.D. Electrostatic discharge protection of input/output pads of sub-micron high-voltage CMOS integrated circuits. The Herald of the Siberian State University of Telecommunications and Information Science. 2015;(3):55-65. (In Russ.)
Просмотров:
186
Послать статью по эл. почте 
