МОДЕЛИРОВАНИЕ ИОННОЙ ПРОВОДИМОСТИ ДИЭЛЕКТРИКА С НЕОДНОРОДНОЙ БЛОКИРУЮЩЕЙ ПОВЕРХНОСТЬЮ КОМПОНЕНТОВ МИКРО И НАНОМАТРИЦ
Аннотация
Разработана одномерная модель ионной проводимости в диэлектрических слоях с неоднородной блокирующей поверхностью полупроводника с заданным геометрическим горизонтальным профилем. Модель основана на результатах исследования релаксации ионов в диэлектрике на поликристаллическом кремнии и позволяет прогнозировать поведение ионов в зависимости от шероховатости границы. Модель может быть использована для прогнозирования электрических параметров при изменении технологических условий формирования многослойных структур.
Список литературы
1. В.С. Дубровин, В.А.Энкович. Расчет проводимости окисла, выращенного на поликремнии. // ЭТ.Сер.3,в.2.-М.:ЦНИИ «Электроника».-1982.-с.8-14.
2. E.G. Salman, V.N. Vertoprachov / Thermally stimulated depolarisation current controlled by surface charge change // Phys. Stat. Sol.(a).-1988.-v.1008, № 2, p.625-630.
3. Е.Г. Сальман, Г.В. Перов Влияние подвижного заряда на электропроводность структур поликремнй-двуокись кремния поликремний // ЭТ.Сер.3,в.3.-М.ЦНИИ «Электроника»,-1989.с.14-16
Рецензия
Для цитирования:
Перов Г.В., Сальман Е.Г. МОДЕЛИРОВАНИЕ ИОННОЙ ПРОВОДИМОСТИ ДИЭЛЕКТРИКА С НЕОДНОРОДНОЙ БЛОКИРУЮЩЕЙ ПОВЕРХНОСТЬЮ КОМПОНЕНТОВ МИКРО И НАНОМАТРИЦ. Вестник СибГУТИ. 2008;(1):25-30.
Просмотров:
121
Послать статью по эл. почте 