Влияние ионного заряда диэлектрика на его электронную проводимость в многослойной структуре с неоднородной блокирующей границей.
Аннотация
Представлены результаты исследований влияния положительного подвижного заряда на электронную проводимость окисла на поликристаллическом кремнии.
Список литературы
1. Han Sheng Lee. High electric feild generaited electron traps in oxide grown from policristalline silicon// Appl.Phys.Lett.-1980.-v.37. №12.-p.1080-1082.
2. Groesneken G., Maes H.E. A quantation model for the conductionnin oxides thermally grown policristalline silicon// IEEE Trans.on El. Dev.-1986.-v.ED-33, №.7-p.1028-1042.
3. Сальман Е.Г., Вертопрахов В.Н., Данилович. В.С. Изучение процессов образования и переноса заряда в слоях двуокиси кремния на кремнии. / ЦИОНТ ПИК.-Деп. В ВИНИТИ.: №558-76.-Новосибирск, 1975.-с.21.
4. Salman E.G.,Vertoprachov V.N. Thermally stimulated depolarisation current cjntrolled by surface charge change // Phys.Stat.Sol (a).-1988.-v.1008. №2.-p.625-630
Рецензия
Для цитирования:
Перов Г.В. Влияние ионного заряда диэлектрика на его электронную проводимость в многослойной структуре с неоднородной блокирующей границей. Вестник СибГУТИ. 2008;(1):31-33.
Просмотров:
110
Послать статью по эл. почте 