Влияние ионного заряда диэлектрика на его электронную проводимость в многослойной структуре с неоднородной блокирующей границей.
Abstract
Представлены результаты исследований влияния положительного подвижного заряда на электронную проводимость окисла на поликристаллическом кремнии.
References
1. Han Sheng Lee. High electric feild generaited electron traps in oxide grown from policristalline silicon// Appl.Phys.Lett.-1980.-v.37. №12.-p.1080-1082.
2. Groesneken G., Maes H.E. A quantation model for the conductionnin oxides thermally grown policristalline silicon// IEEE Trans.on El. Dev.-1986.-v.ED-33, №.7-p.1028-1042.
3. Сальман Е.Г., Вертопрахов В.Н., Данилович. В.С. Изучение процессов образования и переноса заряда в слоях двуокиси кремния на кремнии. / ЦИОНТ ПИК.-Деп. В ВИНИТИ.: №558-76.-Новосибирск, 1975.-с.21.
4. Salman E.G.,Vertoprachov V.N. Thermally stimulated depolarisation current cjntrolled by surface charge change // Phys.Stat.Sol (a).-1988.-v.1008. №2.-p.625-630
Review
For citations:
. The Herald of the Siberian State University of Telecommunications and Information Science. 2008;(1):31-33. (In Russ.)
Views:
122
Email this article 
