Германиевый полевой транзистор с изолированным затвором (Ge-МДПТ)
Аннотация
В работе изложены итоги развития основного активного элемента микро- и наноэлектроники Si МДПТ методом масштабирования. Показано, что дальнейший путь в этом направлении требует изменения материала подзатворного пространства на полупроводник с более высокой, чем у кремния, подвижностью. Таким материалом может стать германий, который достаточно успешно внедряется с этой целью в технологию кремниевых интегральных схем (ИС). Проводится сравнение характеристик таких приборов с ранее разработанными в ИФП СО РАН.
Список литературы
1. Г.Я. Красников. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. - М.: Техносфера. Ч.1 - 2002 г., Ч.2 - 2004 г.
2. В.П. Драгунов. И.Г. Неизвестный. Наноструктуры: физика, технология, применение. - Новосибирск, НГТУ, 2008 г.
3. И.Г. Неизвестный, В.А. Гридчин. Использование напряжённого кремния в МДП-транзисторах и КМОП-структурах. - Микроэлектроника. Т.38, № 2, стр. 83 - 98, 2009.
4. Dick James. "Intel's evolution: Strained silicon to high-k and metal gate" Sol. St. Tech. November 2007.
5. Wen-Shiang Liao et al. "PMOS hole mobility enhancement through SiGe conductive channel and highly compressive ILD-SiNx stressing layer" IEEE Electr. Dev. Lett. v.29. № 1, January 2008. p. 86 - 88.
6. S.Balakumar et al. "SiGeO layer formation mechanism at the SiGe/oxide interface during Ge condensation". Appl. Phys. Lett. v.90, p.032111(2007).
7. Hiroshi Matsubara et al. "Evidence of low interface trap density in GeO2/Ge metal-oxide-semiconductor structures fabricated by thermal oxidation". Appl. Phys. Lett. v.90, p.032104 (2008).
8. T. Signamarcheix et al. "Germanium oxynitrid (GeОxNy) as a back interface passivation layer for germanium-on-insulator substrate" Appl. Phys. Lett. v.93, p.022109(2008).
9. Nan Wu et al. "Gate-First germanium nMOSFET with CVD HfO2 gate dielectric and silicon surface passivation" IEEE Elect. Dev. Lett. vol.27. № 6, June 2006, p. 479 - 491.
10. А.В. Ржанов, И.Г. Неизвестный, В.В. Росляков. Исследование поверхностной проводимости и поверхностной рекомбинации на образцах германия. ЖТФ, т. 26, 2142 (1956).
11. А.В. Ржанов, Ю.Ф. Новотоцкий-Власов, И.Г. Неизвестный. Исследование эффекта поля и поверхностной рекомбинации в образцах германия. ЖТФ т. 27, вып.11, 1957. стр. 2441 -2450.
12. Patent 1 745 175 U.S. "Method and apparatus for controlling electric current" Lilienfeld.-Appl. Field 8 oct.1929, granted 18 Jan.1930.
13. D.Kang, M.M.Attala. "Silicon-silicon dioxide field iduced surface devices". Presented at the IRE-AIEE Solid State Device Res. Conf. Pittsburg PA, 1960.
14. A.V.Rzhanov, I.G. Neizvestny. "Germanium MIS structure" Thin Sol. Films. V.58, (1979), p. 37 - 42.
15. Квон Зе Дон, И.Г. Неизвестный, В.Н. Овсюк, А.В. Ржанов. Германиевый МДП-транзистор. - Микроэлектроника, т. 5, вып. 4, 1976, стр. 363 - 366.
Рецензия
Для цитирования:
Неизвестный И.Г. Германиевый полевой транзистор с изолированным затвором (Ge-МДПТ). Вестник СибГУТИ. 2009;(3):5-9.
For citation:
Neizvestny I.G. Germanium field-effect-transistor (Ge MOSFET). The Herald of the Siberian State University of Telecommunications and Information Science. 2009;(3):5-9. (In Russ.)
Просмотров:
670
Послать статью по эл. почте 