Preview

Вестник СибГУТИ

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:


Неизвестный И.Г. Германиевый полевой транзистор с изолированным затвором (Ge-МДПТ). Вестник СибГУТИ. 2009;(3):5-9.

For citation:


Neizvestny I.G. Germanium field-effect-transistor (Ge MOSFET). The Herald of the Siberian State University of Telecommunications and Information Science. 2009;(3):5-9. (In Russ.)



Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1998-6920 (Print)