Germanium field-effect-transistor (Ge MOSFET)
Abstract
The short summary of high frequency Si-MOSFET developed with help the scaling is described. For next step speed-performance enhancment is needed using semiconductor which has mobility more than Si. The most suitable material for this aims is Ge. The comparison recent date with result has published in papers Institute of Semiconductor Physics SBRAS many years ago.
References
1. Г.Я. Красников. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. - М.: Техносфера. Ч.1 - 2002 г., Ч.2 - 2004 г.
2. В.П. Драгунов. И.Г. Неизвестный. Наноструктуры: физика, технология, применение. - Новосибирск, НГТУ, 2008 г.
3. И.Г. Неизвестный, В.А. Гридчин. Использование напряжённого кремния в МДП-транзисторах и КМОП-структурах. - Микроэлектроника. Т.38, № 2, стр. 83 - 98, 2009.
4. Dick James. "Intel's evolution: Strained silicon to high-k and metal gate" Sol. St. Tech. November 2007.
5. Wen-Shiang Liao et al. "PMOS hole mobility enhancement through SiGe conductive channel and highly compressive ILD-SiNx stressing layer" IEEE Electr. Dev. Lett. v.29. № 1, January 2008. p. 86 - 88.
6. S.Balakumar et al. "SiGeO layer formation mechanism at the SiGe/oxide interface during Ge condensation". Appl. Phys. Lett. v.90, p.032111(2007).
7. Hiroshi Matsubara et al. "Evidence of low interface trap density in GeO2/Ge metal-oxide-semiconductor structures fabricated by thermal oxidation". Appl. Phys. Lett. v.90, p.032104 (2008).
8. T. Signamarcheix et al. "Germanium oxynitrid (GeОxNy) as a back interface passivation layer for germanium-on-insulator substrate" Appl. Phys. Lett. v.93, p.022109(2008).
9. Nan Wu et al. "Gate-First germanium nMOSFET with CVD HfO2 gate dielectric and silicon surface passivation" IEEE Elect. Dev. Lett. vol.27. № 6, June 2006, p. 479 - 491.
10. А.В. Ржанов, И.Г. Неизвестный, В.В. Росляков. Исследование поверхностной проводимости и поверхностной рекомбинации на образцах германия. ЖТФ, т. 26, 2142 (1956).
11. А.В. Ржанов, Ю.Ф. Новотоцкий-Власов, И.Г. Неизвестный. Исследование эффекта поля и поверхностной рекомбинации в образцах германия. ЖТФ т. 27, вып.11, 1957. стр. 2441 -2450.
12. Patent 1 745 175 U.S. "Method and apparatus for controlling electric current" Lilienfeld.-Appl. Field 8 oct.1929, granted 18 Jan.1930.
13. D.Kang, M.M.Attala. "Silicon-silicon dioxide field iduced surface devices". Presented at the IRE-AIEE Solid State Device Res. Conf. Pittsburg PA, 1960.
14. A.V.Rzhanov, I.G. Neizvestny. "Germanium MIS structure" Thin Sol. Films. V.58, (1979), p. 37 - 42.
15. Квон Зе Дон, И.Г. Неизвестный, В.Н. Овсюк, А.В. Ржанов. Германиевый МДП-транзистор. - Микроэлектроника, т. 5, вып. 4, 1976, стр. 363 - 366.
Review
For citations:
Neizvestny I.G. Germanium field-effect-transistor (Ge MOSFET). The Herald of the Siberian State University of Telecommunications and Information Science. 2009;(3):5-9. (In Russ.)
Views:
672
Email this article 