Расчёт электрических полей в ультратонких диэлектриках с неоднородной границей в среде TCAD Sentaurus
Аннотация
Разработана графическая и технологическая модель перепрограммируемого элемента памяти управляющего устройства приёмника Глонасс-навигатора в среде TCAD Sentaurus. Выполнен расчёт распределения электрических полей в тонких диэлектриках на поверхности затвора с неоднородным горизонтальным и вертикальным профилем рельефа. Модель может быть использована для расчёта электронных и ионных токов проводимости ультратонких диэлектриков цифровых и аналоговых микросхем в зависимости от неоднородности границы и определения их контрольных пределов по отказам.
Об авторах
Г. В. Перов
Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики
Россия
Россия
В. И. Сединин
Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики
Россия
Россия
Список литературы
1. Шурыгина В. Микросхемы энергонезависимой памяти. Электроника: Наука, Технология, Бизнес 2008, №3, стр.84-88.
2. Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0.35 - 0.18 мкм. Часть 1. Основные тенденции развития методов. Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы, 2010 г.
3. Marcus R. B. and Sheng T. T. The oxidation of shaped silicon surfaces// J. Electrochem. Soc.1982, Vol.129. N.6. P. 1278-1282.
4. Yoshikawa K., Nagakubo Y., Kanzaki K., Two Dimensional Effect in Suppression of Thermal Oxidation Rate// Extended Abstracts of the (1984 International) Conference on Solid State Devices and Materials, Kobe, 1984, p.475-478.
5. Sunami H., Koyanagi M, Hashimoto N. Intermediate oxide formation in double-polisilicon gate MOS structure// J. Electrochem. Soc.1980, Vol.127. N.11. P. 2499-2505.
6. Brown D.K. Hu S.M., Morrisey J.M. Flaws in sidewall oxides grown on polysilicon gate.-J. Electrochem. Soc.1982, Vol.129. N.5. P. 1084-1089.
7. М.Б. Белоненко, Н.Г. Лебедев, Е.В. Сочнева// Диссипативные солитоны в углеродных нанотрубках, Физика твёрдого тела, 2011, том 53, вып. 1, стр. 184-188.
8. Anderson R.M., Kerr D.R. Evidence for surface asperity mechanism of conductivity in oxide grown on polycrystalline // J. of Appl. Phys. - 1975. - v.53, №9, p.4834-4836.
9. Heiman P.A., Murarka S.P., Sheng T.T. Electrical conduction and breakdown on oxide of policristalline silicon and their correlation with interface texture// J. of Appl. Phys. - 1982. - v.53, №9, p.6240-6246.
10. Sentaurus Process User Guid. C-2009.06 pp.508-512.
11. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. Часть 2. М.: Энергия, 1986 г., стр.423-426.
Рецензия
Для цитирования:
Перов Г.В., Сединин В.И. Расчёт электрических полей в ультратонких диэлектриках с неоднородной границей в среде TCAD Sentaurus. Вестник СибГУТИ. 2011;(4):64-71.
For citation:
Perov G.V., Sedinin V.I. Calculation of Electric Fields in Ultra-Thin Dielectrics with Heterogeneous Border in Sentaurus TCAD Environment. The Herald of the Siberian State University of Telecommunications and Information Science. 2011;(4):64-71. (In Russ.)
Просмотров:
131
Послать статью по эл. почте 
