AlGaN/GaN диоды с барьерами Шоттки на основе Ta, Ni, WSi и TiN
Аннотация
В данной работе представлены планарные AlGaN/GaN диоды с барьером Шоттки, изготовленные на кремниевой подложке по бездрагметальной технологии с применением ре-цесса анода. В качестве анодов использовались металлизации X/Ti/Al/Ti (30/20/350/20 нм), где X - это Ta, Ni, WSi или TiN. Расстояние анод-катод La-к варьировалось от 3 до 7 мкм. Ширина анода составляла 100 мкм. Для La-к = 7 мкм были получены следующие результаты: напряжение открывания диода (Uotkp) составило 0.25 В, 0.45 В, 0.65 В, 1.6 В для Ta, Ni, WSi и TiN анодов соответственно; ток прямого смещения при U = 1.2 В составил 68 мА/мм, 55 мА/мм, 20 мА/мм и 0.16 мА/мм для Ta, Ni, WSi и TiN анодов соответственно; обратный ток утечки (Ioep) составил 67 мкА/мм, 13 мкА/мм, 5 мкА/мм и 0.85 мкА/мм для Ta, Ni, WSi и TiN анодов соответственно.
Об авторах
И. В. Федин
АО НПФ «Микран»
Россия
Россия
Е. В. Ерофеев
НИИСЭС ТУСУР
Россия
Россия
В. В. Федина
ТУСУР
Россия
Россия
Список литературы
1. Seikoh Yoshida, Nariaki Ikeda, Jiang Li, Takahiro Wada, Hiroshi Kambayashi, and Hironari Takehara. High power AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode with 1000 V operation // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2006. V. 892. P. 0892-FF05-02.1-0892-FF05-02.6.
2. Seung-Chul LEE, Min-Woo HA, Ji-Yong LIM, Jin-Cherl HER, Kwang-Seok SEO andMin-Koo Han. Suppression of Leakage Current of Ni/Au Schottky Barrier Diode Fabricated on AlGaN/GaN Heterostructure by Oxidation // Jap. Journ. of Appli. Phys. 2006. V. 45, № 4B. P. 3398-3400.
3. Cao Dong-Sheng, Lu Hai, Chen Dun-Jun, Han Ping, Zhang Rong, Zheng You-Dou. A 1100+ V AlGaN/GaN-Based Planar Schottky Barrier Diode without Edge Termination // Chin. Phys. Lett. 2011. V. 28. P. 017303-1-017303-4.
4. Xing Lu, Chao Liu, Huaxing Jiang, Xinbo Zou, Anping Zhang, andKei May Lau. Ultralow reverse leakage current in AlGaN/GaN lateral Schottky barrier diodes grown on bulk GaN substrate // Appl. Phys. Expr. 2016. V. 9, №. 5. P. 031001-1-031001-4.
5. Saitoh Y. et al. Extremely low on-resistance and high breakdown voltage observed in vertical GaN Schottky barrier diodes with high-mobility drift layers on low-dislocation-density GaN substrates // Appl. Phys. Exp. 2010. V. 3, №. 8. P. 081001-1-081001-3.
6. Zhu M., Song B., Qi V., Hu Z., Nomoto K, Yan X., Cao Y., Johnson W., Kohn E., Jena D. 1.9-kV AlGaN/GaN Lateral Schottky Barrier Diodes on Silicon // IEEE El. Dev. Lett. 2015. V. 36, №. 4. P. 375-377.
7. Treidel E. B. et al. Fast GaN based Schottky diodes on Si(111) substrate with low onset voltage and strong reverse blocking // Phys. Status Solidi C. 2013. V. 10, №. 5. P. 849-852.
8. Chen W. et al. High-performance AlGaN/GaN lateral field-effect rectifiers compatible with high electron mobility transistors // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92, №. 25. P. 253501-1-253501-3.
9. Wang Y. et al. Ultra-low leakage and high breakdown Schottky diodes fabricated on freestanding GaN substrate // Semicond. Sci. Technol. 2011. V. 26, №. 2. P. 022002.
10. Hashimoto S. et al. High-purity GaN epitaxial layers for power devices on low-dislocation-density GaN substrates // J. Cryst. Growth. 2007. V. 298. P. 871-874.
11. Zhang Y. et al. GaN-on-Si vertical Schottky and p-n diodes // IEEE Electron Device Lett. 2014. V. 35, №. 6. P. 618-620.
12. Lee J.-H. et al. AlGaN/GaN-based lateral-type Schottky barrier diode with very low reverse recovery charge at high temperature // IEEE Trans. Electron Devices. 2013. V. 60, №. 10. P. 3032-3039.
13. Kamada A. et al. High-voltage AlGaN/GaN Schottky barrier diodes on Si substrate with low-temperature GaN cap layer for edge termination // 20th Int. Symp. Power Semiconductor Devices IC’s. 2008. P. 225-228.
14. Boles T. et al. >1200 V GaN-on-silicon Schottky diode // Phys. Status Solidi C. 2013. V. 10, №. 5. P. 835-839.
15. Lian Y.-W. et al. AlGaN/GaN Schottky barrier diodes on silicon substrates with selective Si diffusion for low onset voltage and high reverse blocking // IEEE Electron Device Lett. 2013. V. 34, №. 8. P. 981-983.
16. Hilt O., Brunner F, Cho E., Knauer A., Bahat-TreidelE., Wurfl J. Normally-off high voltage p-GaN gate GaN HFET with carbon-doped buffer // Proceeding of the 23rd International sympo-syum on power semiconductor devices and IC. San Diego, May 23-26, 2011. P. 239-242.
Рецензия
Для цитирования:
Федин И.В., Ерофеев Е.В., Федина В.В. AlGaN/GaN диоды с барьерами Шоттки на основе Ta, Ni, WSi и TiN. Вестник СибГУТИ. 2018;(3):62-68.
For citation:
Fedin I..., Erofeev E..., Fedina V... Parameters calculation of a logical channel for a secondary user in a group of two AlGaN/GaN Schottky barrier diodes with Ta, Ni, WSi and TiN anodes. The Herald of the Siberian State University of Telecommunications and Information Science. 2018;(3):62-68. (In Russ.)
Просмотров:
415
Послать статью по эл. почте 
