Для цитирования:

Федин И.В., Ерофеев Е.В., Федина В.В. AlGaN/GaN диоды с барьерами Шоттки на основе Ta, Ni, WSi и TiN. Вестник СибГУТИ. 2018;(3):62-68.

For citation:

Fedin I..., Erofeev E..., Fedina V... Parameters calculation of a logical channel for a secondary user in a group of two AlGaN/GaN Schottky barrier diodes with Ta, Ni, WSi and TiN anodes. The Herald of the Siberian State University of Telecommunications and Information Science. 2018;(3):62-68. (In Russ.)