Preview

Вестник СибГУТИ

Расширенный поиск

Исследование электрофизических параметров тонких плёнок нитрида титана, полученных методом магнетронного распыления

Аннотация

Плёнки нитрида титана известны уже давно, но они не теряют своей актуальности, и обнаруживаются новые сферы их применения. Со временем совершенствуются способы получения плёнок для достижения наилучших характеристик. Для получения тонких плёнок TiN широко применяется метод магнетронного распыления, который характеризуется рядом технологических параметров. В данной статье представлены результаты исследования влияния мощности разряда и потока азота в парогазовой смеси Ar+N2 на удельное электрическое сопротивление и скорость роста плёнок нитрида титана, полученных методом реактивного магнетронного распыления. Также рассмотрено влияние температурной обработки на деградацию удельного электрического сопротивления и изменение элементного состава полученных плёнок.

Об авторах

Е. В. Ерофеев
НПК «Микроэлектроника» ЗАО НПФ «Микран»
Россия


И. В. Федин
ТУСУР; НПК «Микроэлектроника» ЗАО НПФ «Микран»
Россия


А. И. Казимиров
ТУСУР; НПК «Микроэлектроника» ЗАО НПФ «Микран»
Россия


Список литературы

1. Nadia Saoula, Karim Henda et Rafika Kesri. Influence of nitrogen content on the structural and mechanical properties of tin thin films // j. Plasma fusion res. Series. 2009 V. 8, P. 1403-1407.

2. Li-Jian Meng, M.P. Santos. Characterization of titanium nitride falms prepared by d.c. reactive magnetron sputtering at dufferent nitrogen pressures // Surface and Coatings Technology. 1997 V. 90, P. 64-70.

3. Громов Д.Г. Металлизация в системах с наноразмерными элементами: учеб. пособие для студентов техвузов. М.: МИЭТ; Москва: АСТ, 2011. 60 с.

4. Az. Ahaitouf, J. C. Gerbedoen, A. Soltani Process Technology study of TiN/AlGaN/GaN Schottky contact on (111) Silicon substrate // J. Mater. Environ. Sci. 2010. V 1, P. 309-312.

5. Hong Tak Kim, Chan Su Chae, Dae Hee Han and Duck Kyu Park. Effect of Substrate Temperature and Input Power on TiN Film Deposition by LowFrequency (60 Hz) PECVD // Journal of the Korean Physical Society. 2000 V. 37, № 3. P. 319-323.

6. Способ реактивного ионного травления слоя нитрида титана селективно к алюминию и двуокиси кремния [Электронный ресурс]. URL: http://www.freepatent.ru/patents/2 3 92 68 9 (дата обращения: 14.02.2015)

7. Способ получения однофазных пленок нитрида титана [Электронный ресурс]. URL: http://www.findpatent.ru/patent/2 4 9/2 4 97 977.html (дата обращения: 23.02.2015)

8. Нитрид титана [Электронный ресурс]. URL: https://ru.wikipedia.org/wiki/Нитрид титана (дата обращения: 15.02.2015)

9. F. Vaza, J. Ferreiraa, E. Ribeiroa, L. Reboutaa, S. Lanceros-Mendeza, J.A. Mendesa, E. Alvesb, Ph. Goudeauc, J.P. Rivie ‘rec, F. Ribeirod, I. Moutinhod, K. Pischowe, J. de Rij. Influence of Nitrogen Content on the Structural and Mechanical Properties of TiN Thin Films // Surface & Coatings Technology. 2005. V. 191, P. 317-323.


Рецензия

Для цитирования:


Ерофеев Е.В., Федин И.В., Казимиров А.И. Исследование электрофизических параметров тонких плёнок нитрида титана, полученных методом магнетронного распыления. Вестник СибГУТИ. 2015;(3):29-34.

For citation:


Erofeev E.V., Fedin I.V., Kazimirov A.I. Investigation of electrical properties of TiN thin films obtained by DC magnetron sputtering. The Herald of the Siberian State University of Telecommunications and Information Science. 2015;(3):29-34. (In Russ.)

Просмотров: 251


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1998-6920 (Print)