Для цитирования:
Рудин С.А., Павский К.В., Ревун А.Л., Двуреченский А.В. Моделирование гетероэпитаксиального роста Ge на структурированной подложке Si(100) методом Монте-Карло и распараллеливание вычислений. Вестник СибГУТИ. 2024;18(1):16-28. https://doi.org/10.55648/1998-6920-2024-18-1-16-28
For citation:
Rudin S.A., Pavsky K.V., Revun A.L., Dvurechenskii A.V. Monte Carlo Simulation of Heteroepitaxial Growth of Ge on Pit-patterned Si(100) Substrate and Parallelization of Calculations. The Herald of the Siberian State University of Telecommunications and Information Science. 2024;18(1):16-28. (In Russ.) https://doi.org/10.55648/1998-6920-2024-18-1-16-28
Послать статью по эл. почте 