Preview

Вестник СибГУТИ

Расширенный поиск

Отказы интегральных схем, вызванные воздействием эффектов электромиграции и антенны

https://doi.org/10.55648/1998-6920-2024-18-3-57-72

Аннотация

В статье представлены некоторые проблемы отказов работы интегральных схем (ИС) и их предотвращение на ранних этапах проектирования. Рассмотрены, обобщены и систематизированы вопросы, связанные с отказами ИС, вызванными воздействием эффектов электромиграции и антенны. В статье приведены некоторые примеры, которые могут быть использованы в практической деятельности при разработке ИС для повышения их надёжности с учётом современных тенденций развития в области микроэлектроники.

Об авторе

В. В. Шубин
Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики (СибГУТИ)
Россия

Шубин Владимир Владимирович - к.т.н., доцент кафедры технической электроники СибГУТИ; начальник отдела по разработке аналоговых ИМС АО «НЗПП Восток».

630082, Новосибирск, ул. Дачная, 60



Список литературы

1. Fiks V. B. On the mechanism of the mobility of ions in metals // Soviet Physics: Solid State, 1959. V. 1, № 1. P. 14-28.

2. Hastings Alan. The Art of ANALOG LAYOUT. New Jersey. Pearson Prentice Hall, 2006. 648 p.

3. Huntington H. B., Grone A. R. Current-induced marker motion in gold wires // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 1961. V. 20. P. 76-87.

4. Verbruggen A. H. Fundamental questions in the theory of electromigration // IBM Journal of Research and Development. 1988. № 32. P. 93-98.

5. Tan C. M., Arijit R. Electromigration in ULSI Interconnection // Materials Science and Engineering. Elsevier. 2007. Is. 58. P. 1-75.

6. Tao J., Young K. K., Cheung N. W., Hu C. Comparison of Electromigration Reliability of Tungsten and Aluminum Vias Under DC and Time-Varying Current Stressing // Proc. International Reliability Physics Symposium, 1992. V. 14, № 4. P. 338-343.

7. Ames I., d'Heurle F. M., Horstmann R. E. Reduction of Electromigration in Aluminium Film by Copper Doping // IBM Journal of Research and Development. 1970. V.14, № 4. P. 461-463.

8. Iyer S. S., Ting Ch. Y. Electromigration Study of Al-Cu/Ti/Al-Cu System // Proc. International Reliability Physics Symposium, 1984. P. 273-278.

9. Lloyd J. R., Smith P. M. The Effect of Passivation on the Electromigration Lifetime of Al/Cu Thin Film Conductors // Journal of Vacuum Science Technology A. 1983. V. 1, № 2. P. 455-458.

10. Chen J. Z., Amerasekera A., Duvvury Ch. Design Methodology for Optimizing Gate Driven ESD Protection Circuits in Submicron CMOS Processes // Proc. EOS/ESD Symposium, 1997. P. 1-10.

11. Lienig J, Thiele M. Fundamentals of Electromigration-Aware Integrated Circuit Design. SpringerLink, 2018. 159 p.

12. Weste N. H. W., Harris D. M. CMOS VLSI Design: A Circuits and Systems Perspective. 4nd Ed. Boston: Addison-Wesley, Pearson Education, Inc., 2011. 838 p.

13. Gabriel C. T. Gate Oxide Damage: A Brief History and a Look Ahead // Proc. 6th International Symposium on Plasma Process-Induced Damage, 2001. P. 20-24.

14. Watanabe T., Yoshida Y. Dielectric Break-down of Gate Insulator Due to Reactive Ion Etching // Solid State Technology. 1984. V. 27, № 44. P. 263-266.

15. Mocuta A. C., Hook T. B., Chou A. I., Wagner T., Stamper A. K., Khare M., Gambino J. P. Plasma Charging Damage in SOI Technology // Proc. 6th International Symposium on Plasma Process-Induced Damage, 2001. P. 104-107.

16. Simon P., Luchies J.-M., Maly W. Antenna Ratio Definition for VLSI Circuits // Proc. 4th International Symposium on Plasma Process-Induced Damage, 1999. P. 16-20.

17. Baker R. Jacob. CMOS: Circuit Design, Layout, and Simulation. New Jersey: John Wiley & Sons Inc., 2011. 1208 p.


Рецензия

Для цитирования:


Шубин В.В. Отказы интегральных схем, вызванные воздействием эффектов электромиграции и антенны. Вестник СибГУТИ. 2024;18(3):57-72. https://doi.org/10.55648/1998-6920-2024-18-3-57-72

For citation:


Shubin V.V. Integrated Circuits Failures Caused by Electromigration and Antenna Effects. The Herald of the Siberian State University of Telecommunications and Information Science. 2024;18(3):57-72. (In Russ.) https://doi.org/10.55648/1998-6920-2024-18-3-57-72

Просмотров: 153


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1998-6920 (Print)